晶振与匹配电容的经验总结，匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3、一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。全球晶振供应紧张致进口价大涨 国内价格同样涨幅较大。江苏晶振 负载电容

输入电压和功率任何类型的晶振通常都可以被设计为利用系统中已有的DC输入电源电压来操作。在数字系统中，通常希望使用与振荡器将驱动的系统中的逻辑器件所使用的电压相匹配的电压来驱动晶振，以便逻辑电平是直接兼容的。+3.3V或+5V是这些数字单元的典型输入。具有较高功率输出的其它器件可以使用较高电压，例如+12V或+15V。另一个考虑因素是为器件供电所需的电流量。XO或TCXO可能只需要几mA，因此在低电压系统中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上电时，一些OCXO可以需要5W或6W。河北2016晶振晶振市场格局：日本在先，中国追赶。

在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十豪亨到几百豪亨。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。

MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品1/10音叉谐振器包括底部和从底部延伸的两个振动臂，在两个振动臂上镀有激励电极（红色部分）。该常规结构的晶片微型化后，激励电极面积将随之减小，不利于起振。MEMS技术通过对振动片进行三维立体加工形成H型槽的构造，既确保了电极的面积，又提高了电解效率。MEMS技术有效推动晶体谐振器小型化发展，光刻加工下的晶振体积缩小至18.8mm3小型音叉型晶体器件，体积为原有产品1/10以下（3）MEMS技术用于AT型晶体/AT振荡器，将尺寸公差保持在1um以内利用MEMS技术的光刻加工可以提升石英晶体芯片的一致性与稳定性，光蚀刻工艺能够将尺寸公差保持在1um以内。光刻工艺首先使用电子束真空沉积系统将石英晶片化学蚀刻至预定频率，清洁并用铬和金薄膜金属化。石英掩模和双对准器光刻生成AT条带图案，其中晶片的顶部和底部表面同时对准和曝光。然后通过随后的光掩模步骤限定晶体电极和探针焊盘案。然后对晶片进行化学金属和石英蚀刻以形成单独的AT条带。然后，使用孔掩模和薄膜金属沉积将顶部和底部安装垫连接在一起。光刻工艺完成后，晶圆包含上百个单独的超小型AT晶体谐振器。汽车、TWS 和 IoT需求旺 晶振景气度持续向好。

石英晶体硬度及理化性质稳定，频率基本不随温度变化，由此产生的内部振荡损失也很小，非常适合精密制造。同时，区别于传统的机械式加工生产方式，改良的制程更便于批量生产，可以在保证小型化的同时把偏差控制在很小限度内，从而使产品具备小型化、低耗电、高稳定、高频率的优势。应用MEMS技术的微型化产品与传统机械加工生产的晶振前端工艺区别为：1）微型化产品切割环节不是一次性切割成为单个音叉晶体单元，而是首先切割成可以分隔上千支晶片单元的大方片；2）音叉晶片及电极成型环节采用双面光刻工艺，在WAFER片上进行光刻、金属蒸镀、激光调频等集成处理，单个音叉单元尺寸极小。TCXO 及TSX订单增长，国产替代空间巨大。江苏晶振 负载电容

晶振产品加速升级迭代，国内市场格局生变。江苏晶振 负载电容

晶振市场格局：日本领航，中国追赶全球石英晶体元器件厂家主要在日本、美国、中国台湾地区及中国大陆。美国厂商主要针对美国国内及部分专项市场，供求渠道较为稳定，产品单位价值较高。日本是国际石英晶体谐振器传统制造强国。随着电子信息行业的飞速发展和智能应用领域的多元化，日本厂商进一步加大了技术及设备的升级速度，在中高应用领域实行了排他性的相对技术垄断，具备较强的规模效应和技术优势。2013年以后，日本厂商受到原材料和人力资源成本上升，以及全球范围内其他区域如中国台湾、中国大陆等厂商产能扩张等因素的影响，市场份额出现较大幅度下滑。日本厂商将中低端业务逐步转移至中国，市场份额占比已经由2011年的59.3%下降到50%以下。江苏晶振 负载电容

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